Упаковываются модули в прозрачный блистер с тремя ячейками. То есть память поставляется именно в виде трехканального комплекта, что является в своем роде гарантией совместимости планок в трехканальном режиме эксплуатации.

 

 

Традиционно единственное, что нас интересует при тестировании модулей оперативной памяти, – это их разгонный потенциал. Ведь де-факто планки, выпущенные различными производителями, но работающие на одной и той же частоте и с аналогичными таймингами, обеспечат абсолютно идентичную производительность системы. Но, как известно, даже потребительские модули часто могут работать за пределами штатных режимов, не говоря уже об оверклокерских.

 

Конечно, существуют еще такие параметры, как надежность или долговечность, однако проверить их на практике невозможно, поэтому связаны они обычно с доверием к бренду. Впрочем, с этим у Kingston как раз-таки все в порядке – 100% тестирование производимых модулей и пожизненная гарантия не оставляют поводов для сомнений. Другое дело, что в наших реалиях пожизненная гарантия превращается в 3-5-летнюю. В любом случае то, что производитель, дающий пожизненную гарантию, отвечает за качество своего товара, несомненно.

Тестирование модулей осуществлялось на стенде следующей конфигурации:

Номинальным напряжением эксплуатации памяти Kingston HyperX KHX2000C9D3T1K3 является 1.65 В. Это выше номинального для DDR3 напряжения 1.5 В. И именно для обеспечения работоспособности модулей при данном стандартном вольтаже в SPD прописан ряд щадящих значений частот и таймингов. При этом очевидно, что в проверке того, на что способен комплект KHX2000C9D3T1K3 при штатном напряжении, нет никакого смысла. Ведь это равносильно покупке Lamborghini для поездок в булочную на скорости 60 км/ч. Так что начнем покорение частот памяти при напряжении питания 1.65 В, а по ходу попробуем выяснить целесообразность увеличения вольтажа до более высоких значений.

 

Стабильность работы модулей при достигнутых значениях частот проверялась при помощи программы Prime95, выполняющей тест Лукаса-Лемера. Полученные результаты сведены в нижеследующую диаграмму.

 

 

По результатам тестов хорошо видно, что при номинальном напряжении питания 1.65 В модули KHX2000C9D3T1K3X значительно превзошли режимы эксплуатации, прописанные в XMP. Примечательно, что увеличение напряжения питания до 1.75 В хоть и позволяет немного приподнять планку максимальной эффективной частоты, но в целом только мешает. В частности, рубеж 2000 МГц при таймингах 8-8-8-24, характерных для модулей DDR3-1333, был покорен и при номинальном вольтаже 1.65 В.

 

 

 

Подводя итоги тестирования трехканального комплекта памяти KHX2000C9D3T1K3/6GX, приятно отметить, что даже при номинальном напряжении питания 1.65 В разгонный потенциал модулей еще не исчерпан. Ведь 100 "бесплатных" мегагерц к максимальной эффективной частоте – весьма неплохой бонус. Еще больший относительный разгонный потенциал модули демонстрируют при более агрессивных таймингах, причем снова при номинальном вольтаже. Впрочем, как показало тестирование, в случае KHX2000C9D3T1K3/6GX увеличение напряжения питания, по сути, только мешает разгону.